商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集电极电流(Ic) | 300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V | |
| 直流电流增益(hFE) | 7000 | |
| 特征频率(fT) | 60MHz | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
2N5306和2N5308是硅NPN外延平面达林顿晶体管，专为高增益放大器应用而设计。
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| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集电极电流(Ic) | 300mA | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V | |
| 直流电流增益(hFE) | 7000 | |
| 特征频率(fT) | 60MHz | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
2N5306和2N5308是硅NPN外延平面达林顿晶体管，专为高增益放大器应用而设计。