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SUD19P06-60-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUD19P06-60-VB
- 商品编号
- C725221
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V；58mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 漏极连接到散热片
- P 沟道 MOSFET