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SI4401BDY-T1-VB
1个P沟道 耐压:40V 电流:10.2A
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 100% Rg 测试。 100% UIS 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：负载开关。 负载点 (POL)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4401BDY-T1-VB
- 商品编号
- C725165
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V；14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.007nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 291pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF |