STD70N6F3-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N型场效应晶体管,采用Trench工艺,具有较低的导通电阻和较高的性能,适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用,为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252;N—Channel沟道,60V;58A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STD70N6F3-VB商品编号
C725207商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.455克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 58A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 136W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 47nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.65nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 225pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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