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SUD15N15-95-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:25.4A
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 极低的栅漏电荷（Qgd），降低开关损耗。 100%进行栅极电阻（Rg）测试。 100%进行雪崩测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：初级侧开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SUD15N15-95-VB
- 商品编号
- C725220
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗。它专为高功率密度应用量身定制，以满足最高效率标准。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
应用领域
-电脑电源-LED照明-电信电源-服务器电源-电动汽车充电器-太阳能/不间断电源