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SI4463BDY-T1-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:13A
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。沟槽功率 MOSFET。100% Rg 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：便携式设备。负载开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4463BDY-T1-VB
- 商品编号
- C725171
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
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