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SQP50P03-07-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:55.9A
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- 描述
- 特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 100% UIS测试。应用：负载开关。 笔记本适配器开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQP50P03-07-VB
- 商品编号
- C725194
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF |
商品特性
- 无卤
- 沟道型功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑适配器开关