AM40N04-20D-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:15.8A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单路N沟道MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于设计各种电源模块、电动汽车辅助系统、工业控制器等领域。TO252;N—Channel沟道,40V;55A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AM40N04-20D-VB商品编号
C724955商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.397克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
连续漏极电流(Id) | 55A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 3.75W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 42nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.801nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 570pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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