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2SK1589-T1B-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:260mA
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- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 低阈值：2V（典型值）。 低输入电容：25pF。 快速开关速度：25ns。 低输入和输出泄漏。 沟槽功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK1589-T1B-VB
- 商品编号
- C724949
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
优惠活动
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(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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