APT10M11JVRU3
1个N沟道 耐压:100V 电流:142A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT10M11JVRU3
- 商品编号
- C6746404
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 142A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOW11S65和AOWF11S65采用先进的αMOS高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具备低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容电能（EOSS），并保证了雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 功率MOS V MOSFET
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征二极管
- 雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- ISOTOP封装(SOT - 227)
- 极低的杂散电感
- 高集成度
应用领域
-交流和直流电机控制-开关模式电源