- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT1201R4BLLG
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:9A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT1201R4BLLG
- 商品编号
- C6746406
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。通过显著降低RDS(ON)和Qg,Power MOS 7°解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗,以及先进功率技术公司(APT)专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更低的米勒电容
- 更低的栅极电荷Qg
- 更高的功率耗散
- 更易于驱动
- TO - 247或表面贴装D3PAK封装
- APT14F100S
- APT14M100S
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- VMQF574T33-13.7125-1.0/-40+85
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- VMQF574T33-14.850-1.0/-40+85
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- VMQF574T33-140.000-1.0/-40+85
- VMQF574T33-15.050-1.0/-40+85
- VMQF574T33-16.3574-1.0/-40+85
- VMQF574T33-16.366667-1.0/-40+85
- VMQF574T33-16.392658-1.0/-40+85
- VMQF574T33-16.500-1.0/-40+85
- APT40GL120JU2
- VMQF574T33-16.736-1.0/-40+85
- VMQF574T33-20.800-1.0/-40+85
- VMQF574T33-200.000-1.0/-40+85
- VMQF574T33-25.001-1.0/-40+85