商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 880mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.965nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 快速开关,低电磁干扰/射频干扰(EMI/RFI)
- 低导通电阻 RDS(on)
- 超低 Crss,增强抗噪能力
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
- 降压转换器
- 双开关正激(不对称桥)
- 单开关正激
- 反激式转换器
- 逆变器