商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 415W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.525nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。这些器件包含用于钳位、静电放电（ESD）保护和温度感应的TrenchPLUS二极管。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 快速开关,低电磁干扰
- 低反向恢复时间(trr),高可靠性
- 超低反馈电容(Crss),增强抗噪性
- 低栅极电荷
- 有雪崩能量额定值
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 零电压开关(ZVS)移相桥及其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路