TSM025NB04CR RLG
1个N沟道 耐压:40V 电流:161A 电流:24A
- 商品型号
- TSM025NB04CR RLG
- 商品编号
- C6723484
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A；161A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 113nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.15nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 332pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 高阻断电压，低导通电阻
- 高频运行
- 极小微栅漏电荷（Qgd）
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 提高系统效率
- 增加功率密度
- 降低散热片要求
- 降低系统成本
应用领域
- 太阳能逆变器-电动汽车电池充电器-高压直流/直流转换器-开关模式电源