TSM60N900CP ROG
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.5A
- 商品型号
- TSM60N900CP ROG
- 商品编号
- C6723524
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,2.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 直接覆铜陶瓷基板（DCB）上的硅芯片
- 隔离基板
- 出色的热传递性能
- 增强的温度和功率循环能力
- 高隔离电压（约2500V）
- 工作温度可达175°C
- 极高的电流处理能力
- 快速本征二极管
- 雪崩额定
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式UPS-原边开关-高速功率开关应用