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TSM7NC65CF C0G

1个N沟道耐压:650V 电流:7A

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM7NC65CF C0G
商品编号: C6723532
商品封装: ITO-220S
包装方式: 管装
商品毛重: 2.383克(g)

商品参数

商品特性

符合AEC-Q101标准
高阻断电压，低导通电阻
高频操作
超小栅漏电荷（Qgd）
100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）测试

应用领域

太阳能逆变器
电动汽车电池充电器
高压直流-直流（DC/DC）转换器
开关模式电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	7A
	导通电阻(RDS(on))	1.35Ω@10V,2A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	44.6W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	24nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.169nF@50V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)