TSM60N1R4CP ROG
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.3A
- 商品型号
- TSM60N1R4CP ROG
- 商品编号
- C6723522
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AGM30P05A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器