TK4K1A60F,S4X
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK4K1A60F,S4X
- 商品编号
- C6717717
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.383克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1Ω@10V,1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF@300V |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义，无卤素
- 沟槽功率MOSFET
- 高端开关
- 低导通电阻：3 Ω
- 低阈值：-2 V（典型值）
- 快速开关速度：20 ns（典型值）
- 低输入电容：20 pF（典型值）
- 符合RoHS指令2002/95/EC