商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 940mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 505pF |
商品概述
MPG4227采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 小型薄型封装
- 栅极电荷小:QSW = 4.7 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 25.5 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)
- 增强型:Vth = 2至3 V(VDS = 10 V,ID = 1 mA)
应用领域
-电机驱动器-移动设备