TPH8R903NL,LQ
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH8R903NL,LQ
- 商品编号
- C6718998
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 24W；1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF@15V |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 小型薄型封装
- 栅极电荷小：QSW = 4.7 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 25.5 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 40 V）
- 增强型：Vth = 2至3 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
应用领域
- 电机驱动器-移动设备
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