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TPH3206PSB

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品牌名称: Transphorm
商品型号: TPH3206PSB
商品编号: C6718992
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

TPH3206PSB 650V、150mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）是一款常关型器件。它结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和低压硅MOSFET技术，具有卓越的可靠性和性能。 Transphorm GaN通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，比硅器件提高了效率。

商品特性

符合JEDEC标准的GaN技术
对动态RDS(ON)进行有效生产测试
稳健设计,体现在
- 本征寿命测试
- 宽栅极安全裕度
瞬态过压能力
极低的 QRR
降低交越损耗
符合RoHS标准且采用无卤封装

应用领域

-数据通信-广泛的工业领域-光伏逆变器-伺服电机

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	16A
	导通电阻(RDS(on))	180mΩ@8V
	耗散功率(Pd)	81W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.1V
	栅极电荷量(Qg)	6.2nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	720pF
	反向传输电容(Crss)	5.5pF
	工作温度	-55℃~+150℃