PMV48XP,215
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
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描述
P沟道,-20V,-3.5A,55mΩ@-4.5V
- 品牌名称Nexperia(安世)
商品型号
PMV48XP,215商品编号
C75560商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@4.5V,2.4A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 510mW | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.25V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 10V
功率 - 最大值:510mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1000pF @ 10V
功率 - 最大值:510mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
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