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PMV65XP,215

1个P沟道耐压:20V 电流:2.8A

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描述: P沟道,-20V,-4.3A,74mΩ@-4.5V
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PMV65XP,215
商品编号: C75561
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.8A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：7.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：744pF @ 20V
功率 - 最大值：480mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	2.8A
	导通电阻(RDS(on))	74mΩ@4.5V,2.8A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	480mW
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	7.7nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	744pF@20V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)