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PMV65XP,215

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    P沟道,-20V,-4.3A,74mΩ@-4.5V

  • 品牌名称Nexperia(安世)
  • 商品型号

    PMV65XP,215
  • 商品编号

    C75561
  • 商品封装

    SOT-23
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.024克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)74mΩ@4.5V,2.8A
属性参数值
功率(Pd)480mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.7nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)744pF@20V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):74 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):744pF @ 20V
功率 - 最大值:480mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)

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