PMV65XP,215
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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描述
P沟道,-20V,-4.3A,74mΩ@-4.5V
- 品牌名称Nexperia(安世)
商品型号
PMV65XP,215商品编号
C75561商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 74mΩ@4.5V,2.8A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 480mW | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 900mV@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7.7nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 744pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):74 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):744pF @ 20V
功率 - 最大值:480mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):74 毫欧 @ 2.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):744pF @ 20V
功率 - 最大值:480mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
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