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BC859CW,115

hfe=420~800 PNP 电流:100mA 电压:30V

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描述: 采用SOT323塑料封装的PNP晶体管。与之互补的NPN晶体管为：BC849W和BC850W。
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: BC859CW,115
商品编号: C75571
商品封装: SOT-323
包装方式: 编带
商品毛重: 0.038克(g)

商品参数

晶体管类型：PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：30V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：420 @ 2mA，5V
功率 - 最大值：200mW
频率 - 跃迁：100MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SOT-323

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	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	PNP
	集电极电流(Ic)	100mA
	集射极击穿电压(Vceo)	30V
	耗散功率(Pd)	200mW
	直流电流增益(hFE)	420@2mA,5V

	属性	参数值
	特征频率(fT)	100MHz
	集电极截止电流(Icbo)	4uA
	集射极饱和电压(VCE(sat))	650mV
	工作温度	-65℃~+150℃
	射基极击穿电压(Vebo)	5V