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PBSS8110T,215

低VCEsat晶体管 NPN 电流:1A 电压:100V

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描述: 采用小型 SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的 NPN 低 VCEsat 晶体管。互补 PNP 型晶体管：PBSS9110T
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PBSS8110T,215
商品编号: C75550
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024克(g)

商品参数

晶体管类型：NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：1A
电压 - 集射极击穿（最大值）：100V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：200mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：150 @ 250mA，10V
功率 - 最大值：480mW
频率 - 跃迁：100MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）

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	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	NPN
	集电极电流(Ic)	1A
	集射极击穿电压(Vceo)	100V
	耗散功率(Pd)	480mW
	直流电流增益(hFE)	150@250mA,10V

	属性	参数值
	特征频率(fT)	100MHz
	集电极截止电流(Icbo)	100nA
	集射极饱和电压(VCE(sat))	200mV
	工作温度	-
	射基极击穿电压(Vebo)	5V