1个N沟道 耐压:60V 电流:360mA
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- 10+: ¥0.202861
- 100+: ¥0.162928
- 300+: ¥0.142961
- 3000+: ¥0.126706 ¥0.127986 (折合1圆盘383.96元)
- 6000+: ¥0.114846 ¥0.116006 (折合1圆盘348.02元)
- 9000+: ¥0.108916 ¥0.110016 (折合1圆盘330.05元)
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¥0.108916 ¥0.110016 (折合1圆盘330.05元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 360mA | |
功率(Pd) | 350mW;1.14W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@10V,300mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 800pC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Ta) |
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):360mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 10V
功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TA)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)