71P74604S200BQ

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 71P74604S200BQ
商品编号: C6701610
商品封装: CABGA-165(13x15)
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	边界扫描(JTAG)功能；内置延迟锁定环

商品概述

IDT QDRII 四字突发SRAM是高速同步存储器，具有独立的双数据率读写数据端口。每个时钟周期发生四次数据字传输，提供四数据率性能。与标准SRAM常见I/O单数据率设备相比，在等效时钟速度下，数据访问增加了四倍。考虑到QDRII允许时钟速度超过标准SRAM设备，在大多数应用中，吞吐量可以增加远超过四倍。使用独立的读写数据访问端口，通过消除双向总线的需求简化了系统设计。与QDRII相关的所有总线都是单向的，可以在非常高的总线速度下优化信号完整性。QDRII在数据输出总线和回波时钟上具有可调输出阻抗，允许用户调整总线以实现低噪声和高性能。QDRII具有单个SDR地址总线，读写地址复用。读写地址交错，每个最多每隔一个周期发生一次。如果在一个周期上没有操作发生，后续周期可以从读或写开始。在写操作期间，可以通过使用字节写控制信号来阻止单个字节的写入。QDRII具有回波时钟，为用户提供与数据输出精确同步的时钟，并具有匹配的阻抗和信号质量。用户可以使用回波时钟进行数据的下游时钟同步。回波时钟消除了用户需要产生具有精确时序、定位和信号质量的替代时钟来保证数据捕获的需求。由于回波时钟由驱动数据输出的同一源生成，与数据的关系不会受到电压、温度和工艺的显著影响，如果时钟由外部源生成则不然。QDRII SRAM的所有接口都是HSTL，允许速度超过使用任何形式TTL接口的SRAM设备。接口可以扩展到更高电压高达1.9V，以便在必要时与1.8V系统接口。该器件具有VDDQ和单独的Vref，允许用户指定接口工作电压，独立于器件核心电压1.8V VDD。输出阻抗控制允许用户调整驱动强度以适应各种负载和传输线。该器件能够同时在输入和输出端口上维持全带宽。所有数据以四字突发形式，具有突发级别的寻址能力。

商品特性

18Mb密度（1Mx18, 512kx36）
独立、分离的读写数据端口
支持并发事务
双回波时钟输出
所有SRAM访问上的4字突发
复用地址总线，每个时钟周期一个读或一个写请求
DDR双数据率数据总线
每个端口每两个时钟周期四字突发数据
每个时钟周期四次字传输
通过控制逻辑进行深度扩展
HSTL1.5V输入，可扩展以接收1.4V至1.9V信号
可调输出驱动器
可驱动HSTL、1.8V TTL或任何1.4V至1.9V电压电平
输出阻抗可调从35Ω到70Ω
1.8V核心电压VDD
165球，1.0mm间距，13mm x 15mm fBGA封装
JTAG接口

数据手册PDF

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