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MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR

2Gb x8, x16 汽车级 NAND 闪存

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR
商品编号
C6685614
商品封装
TFSOP-48-18.4mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.919克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量2Gbit
接口类型Parallel
时钟频率(fc)-
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)200us
属性参数值
块擦除时间(tBE)700us
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+85℃
待机电流-
擦写寿命10万次
功能特性硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能

商品特性

  • 符合开放式NAND闪存接口1.0规范
  • 采用单层单元技术
  • 组织结构
  • 页大小（x8）：2112字节（2048 + 64字节）
  • 页大小（x16）：1056字（1024 + 32字）
  • 块大小：64页（128K + 4K字节）
  • 平面大小：2个平面，每个平面1024个块
  • 器件容量：2Gb：2048个块
  • 异步I/O性能
  • tRC/tWC：20ns（3.3V），25ns（1.8V）
  • 阵列性能
  • 读取页：25μs
  • 编程页：200μs（典型值：1.8V，3.3V）
  • 擦除块：700μs（典型值）
  • 命令集：ONFI NAND闪存协议
  • 高级命令集
  • 编程页缓存模式
  • 读取页缓存模式
  • 一次性可编程模式
  • 双平面命令
  • 交错晶片操作
  • 读取ID
  • 块锁定（仅1.8V）
  • 内部数据搬移
  • 操作状态字节提供检测以下内容的软件方法
  • 操作完成
  • 通过/失败状态
  • 写保护状态
  • 就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
  • WP#信号：写保护整个器件
  • 出厂时第一个块（块地址00h）带有ECC，为有效状态。关于最低要求的ECC，请参见错误管理部分。
  • 如果编程/擦除周期少于1000次，块0需要1位ECC
  • 上电后需要将复位命令作为第一条命令
  • 上电后器件初始化的替代方法（请联系工厂）
  • 支持在读取数据的平面内进行内部数据搬移操作
  • 质量和可靠性
  • 数据保持：10年
  • 耐久性：100,000次编程/擦除周期
  • 工作电压范围
  • VCC：2.7 - 3.6V
  • VCC：1.7 - 1.95V
  • 工作温度
  • 汽车工业级：-40℃ 到 +85℃
  • 汽车级：-40℃ 到 +105℃
  • 封装
  • 48引脚TSOP type 1，CPL
  • 63球VFBGA

数据手册PDF

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