SSM3J35CTC,L3F
耐压:20V 电流:250mA
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- 描述
- 特性:1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω(典型值)(VGS = -1.2V)。RDS(ON) = 2.3Ω(典型值)(VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 2.0Ω(典型值)(VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 1.5Ω(典型值)(VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 1.1Ω(典型值)(VGS = -4.5V)。应用:模拟开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J35CTC,L3F
- 商品编号
- C6685619
- 商品封装
- SC-101(SOT-883)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01332克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 1.2V驱动
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 3.2Ω(典型值)(@VGS = -1.2V)
- RDS(ON) = 2.3Ω(典型值)(@VGS = -1.5V)
- RDS(ON) = 2.0Ω(典型值)(@VGS = -1.8V)
- RDS(ON) = 1.5Ω(典型值)(@VGS = -2.5V)
- RDS(ON) = 1.1Ω(典型值)(@VGS = -4.5V)
应用领域
-模拟开关
- SSM3K15ACTC,L3F
- SSM3K347R,LF
- SSM3K35AFS,LF
- SSM3K36MFV,L3F
- SSM-106-L-DV-LC-K-TR
- MTLW-107-05-L-D-175
- MT29F32G08ABAAAWP-Z:A
- SSM-106-L-SV-003-P-TR
- MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR
- SSM-106-L-SV-BE-K
- MT29F4G08ABADAH4-AATX:D TR
- SSM-106-L-SV-BE-K-TR
- MTLW-107-06-F-D-140
- SSM-106-L-SV-P
- MTLW-107-07-G-D-027
- MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR
- MTLW-107-07-G-D-275
- MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR
- MTLW-107-07-L-D-023
- SSM-106-LM-SV-LC
- MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D
