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SSM3J35CTC,L3F
耐压:20V 电流:250mA
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- 描述
- 特性：1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 3.2Ω（典型值）(VGS = -1.2V)。RDS(ON) = 2.3Ω（典型值）(VGS = -1.5V)。RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）(VGS = -1.8V)。RDS(ON) = 1.5Ω（典型值）(VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 1.1Ω（典型值）(VGS = -4.5V)。应用：模拟开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3J35CTC,L3F
- 商品编号
- C6685619
- 商品封装
- SC-101(SOT-883)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01332克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@4.5V,150mA | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 42pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
应用领域
- 负载开关