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SSM3K35AFS,LF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SSM3K35AFS,LF

1个N沟道 耐压:20V 电流:250mA

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描述
特性:1.2V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON)=9.0Ω (max) (@VGS=1.2V, ID=10mA)。RDS(ON)=3.1Ω (max) (@VGS=1.5V, ID=20mA)。RDS(ON)=2.4Ω (max) (@VGS=1.8V, ID=150mA)。RDS(ON)=1.6Ω (max) (@VGS=2.5V, ID=150mA)。RDS(ON)=1.1Ω (max) (@VGS=4.5V, ID=150mA)。应用:高速开关。 模拟开关
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
SSM3K35AFS,LF
商品编号
C6685631
商品封装
SC-75(SOT-416)​
包装方式
编带
商品毛重
0.055克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)250mA
导通电阻(RDS(on))1.1Ω@4.5V,150mA
属性参数值
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)340pC@4.5V
输入电容(Ciss)36pF@10V

商品特性

  • 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
  • 沟槽功率MOSFET
  • 100%进行Rg测试
  • 符合RoHS指令2002/95/EC

应用领域

  • 负载开关
  • 功率放大器开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF