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NCP331SNT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCP331SNT1G

停产 NCP331SNT1G 停产

描述
NCP331 是一款低 Ron N 沟道 MOSFET,通过 1.5 ms 的软启动序列控制,用于移动应用。极低 RDS(on) 使得系统能够在高达 3A 直流下进行供电或电池充电。该器件在电源联接 Vin 引脚(有效高电平)时自动启用,如果无 Vin(内部下拉)则保持关断。由于电流耗量优化,来自器件联接电池的漏电流大幅降低,延长了电池寿命。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCP331SNT1G
商品编号
C719794
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
类型高侧开关
通道数1
输入控制逻辑高电平有效
属性参数值
最大连续电流2A
工作电压1.8V~5.5V
导通电阻33mΩ
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

NCP331是一款由软启动序列控制的低导通电阻N沟道MOSFET,适用于移动应用,其软启动序列为2毫秒。极低的RDS(on)允许系统供电或电池充电达到直流2A。该设备由于外部、高电平有效的使能引脚而被启用。由于优化了电流消耗,从连接到设备的电池中泄漏的电流显著减少,从而延长了电池寿命。

应用领域

  • 手机
  • 平板电脑
  • 数码相机
  • GPS
  • 计算机

数据手册PDF