IS61WV20488FBLL-10TLI
2M x 8高速异步CMOS静态RAM,3.3V/1.8V供电
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- 描述
- 高速、16M位静态随机存取存储器,按2048K字x8位组织。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,造就了高性能、低功耗的器件。当片选信号CS#为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时通过CMOS输入电平可降低功耗。通过使用片选使能和输出使能输入可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能信号(WE#)控制存储器的读写操作。器件采用JEDEC标准的44引脚薄型小外形封装(TSOP II)、48引脚微型球栅阵列封装(6mm x 8mm)和54引脚薄型小外形封装(TSOP II)。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS61WV20488FBLL-10TLI
- 商品编号
- C6644074
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 4.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 95mA | |
| 待机电流 | 40mA |
优惠活动
购买数量
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