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IS61WV25616FBLL-10TLI实物图
  • IS61WV25616FBLL-10TLI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS61WV25616FBLL-10TLI

256Kx16高速异步CMOS静态RAM

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描述
是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器,组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。当片选信号(CS#)为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过片选使能和输出使能输入可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能(WE#)控制存储器的读写操作。数据字节允许对高字节(UB#)和低字节(LB#)进行访问。有JEDEC标准的48球迷你BGA(6mm x 8mm)、44引脚400mil SOJ和44引脚TSOP(II型)封装。
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS61WV25616FBLL-10TLI
商品编号
C6644080
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
存储容量4Mbit
工作电压2.4V~3.6V
读写时间10ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流35mA
待机电流10mA

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