IS61WV25616FBLL-10TLI
256Kx16高速异步CMOS静态RAM
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- 描述
- 是高速、低功耗的4M位静态随机存取存储器,组织为256K字×16位。采用高性能CMOS技术制造。当片选信号(CS#)为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过片选使能和输出使能输入可轻松实现内存扩展。低电平有效的写使能(WE#)控制存储器的读写操作。数据字节允许对高字节(UB#)和低字节(LB#)进行访问。有JEDEC标准的48球迷你BGA(6mm x 8mm)、44引脚400mil SOJ和44引脚TSOP(II型)封装。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS61WV25616FBLL-10TLI
- 商品编号
- C6644080
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 35mA | |
| 待机电流 | 10mA |
优惠活动
购买数量
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