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IS62WVS1288GBLL-45NLI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

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IS62WVS1288GBLL-45NLI

IS62WVS1288GBLL-45NLI

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品牌名称
ISSI(北京矽成)
商品型号
IS62WVS1288GBLL-45NLI
商品编号
C6644097
商品封装
SOIC-8​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
属性参数值
功能特性自动掉电功能

商品概述

IS62/65WVS1288GALL/GBLL是1M位快速串行静态随机存取存储器,按128K字节×8位组织。它采用高性能CMOS技术制造。该器件通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问。所需的总线信号包括时钟输入(SCK)以及独立的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过片选(CS#)输入控制对器件的访问。此外,如果应用需要更高的数据速率,还支持SDI(串行双接口)和SQL(串行四接口)。该器件还支持对存储器阵列进行无限制的读写操作。IS62/65WVS5128GALL/GBLL采用标准的8引脚SOIC封装。

商品特性

  • SPI兼容总线接口:
    • 时钟频率为30/45 MHz
    • 支持SPI/SDI/SQI模式
  • 单电源供电:
    • VDD = 1.65V - 2.2V(IS62/65WVS1288GALL)
    • VDD = 2.70V - 3.6V(IS62/65WVS1288GBLL)
  • 读取延迟:
    • SPI模式:8个时钟周期
    • DPI模式:4个时钟周期
    • QPI模式:2个时钟周期
  • 低功耗CMOS技术:
    • 读取电流:在3.6V、45 MHz、85°C条件下最大为10 mA
    • CMOS待机电流:典型值为4 μA
  • 128K×8位组织:
    • 32字节页
    • 支持字节、页和顺序读写模式
    • 支持的温度范围:
      • 工业级(I):-40°C至+85°C
      • 汽车级(A3):-40°C至+125°C
  • 符合RoHS标准
  • 采用8引脚SOIC封装

数据手册PDF