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IS62WV6416FBLL-45TLI
64Kx16低电压超低功耗CMOS静态RAM
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- 描述
- 是高速的1M位静态随机存取存储器，组织为64k字×16位。采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能、低功耗的器件。当CS1#为高电平（未选中）或CS2为低电平（未选中）或CS1#为低电平、CS2为高电平且LB#和UB#均为高电平时，器件进入待机模式，此时使用CMOS输入电平可降低功耗
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS62WV6416FBLL-45TLI
- 商品编号
- C6644095
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 45ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 26mA |