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IXTJ4N150

IXTJ4N150

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商品型号
IXTJ4N150
商品编号
C6578008
商品封装
ISO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)44.5nC@10V
反向传输电容(Crss)35pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

~~- 动态dv/dt额定值-雪崩额定-快速本征二极管-低栅极电荷Qg-低导通电阻RDS(ON)-低漏极至散热片电容-低封装电感-易于安装-节省空间

应用领域

  • 直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-不间断电源-交流电机驱动器-高速功率开关应用

数据手册PDF