TPH2R003PL,LQ
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH2R003PL,LQ
- 商品编号
- C6560342
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 830mW；116W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.41nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进的技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小:QSW = 22 nC(典型值)
- 输出电荷小:Qoss = 41 nC(典型值)
- 漏源导通电阻低:RDS(ON) = 1.3 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 漏电流低:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)
- 增强型:Vth = 1.1 至 2.1 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器