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TPW2900ENH,L1Q
N沟道 200V 33A
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- 描述
- 特性：高速开关。 小栅极电荷：Q_SW = 8.2 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 24 mΩ（典型值）(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流：I_DSS = 10 μA（最大值）(V_DS = 200 V)。 增强模式：V_DA = 2.0 至 4.0 V (V_DS = 10 V, I_D = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPW2900ENH,L1Q
- 商品编号
- C6560683
- 商品封装
- DSOPADVANCE-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.383333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 142W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 高速开关
- 小栅极电荷:QSW = 8.2 nC(典型值)
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 24 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 200 V)
- 增强型模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 1.0 mA)
应用领域
- 高效直流-直流转换器
- 开关稳压器
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