TPH8R008NH,L1Q
1个N沟道 耐压:80V 电流:34A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH8R008NH,L1Q
- 商品编号
- C6560353
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 61W；1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 小型薄封装
- 高速开关
- 小栅极电荷:QSW = 13 nC(典型值)
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 6.6 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 80 V)
- 增强型:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
-DC-DC 转换器-开关稳压器-电机驱动器