TPH5R906NH,L1Q
1个N沟道 耐压:60V 电流:28A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH5R906NH,L1Q
- 商品编号
- C6560348
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9mΩ@10V,14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 57W；1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF@30V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体（onsemi）先进的POWERTRENCH工艺制造。结合了硅技术和双散热（DUAL COOL）封装技术的优势，在极低的结到环境热阻下，既能实现极低的导通电阻rDS(on)，又能保持出色的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 15 A时，最大rDS(on) = 6.5 mΩ
- 在VGS = 8 V、ID = 13 A时，最大rDS(on) = 8.4 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合，实现低rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具备软恢复特性
- 8x8 mm小尺寸MLP封装
- MSL1高可靠性封装设计
- 100%进行UIL测试
- 该器件无铅、无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 理想二极管(OringFET)/负载开关-同步整流-DC-DC转换