温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APM2315AC
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
- 描述
- 应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- APM2315AC
- 商品编号
- C6533555
- 商品封装
- SOT23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@4.5V,4.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 645pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
8013是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的脉宽调制（PWM）和栅极电荷。
商品特性
- -30V / -5.6A，VGS = -10V时，RDS(ON) = 37mΩ（典型值）
- -30V / -4.3A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 52mΩ（典型值）
- 专为极低的导通电阻RDS(ON)而设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3L封装设计
- P沟道
应用领域
- 高频负载点同步
- 用于移动电脑（MB）/笔记本电脑（NB）/超便携个人电脑（UMPC）/视频图形阵列（VGA）的降压转换器
- DC/DC转换器
- 负载开关
相似推荐
其他推荐