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SI1304BDL-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 沟槽功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：便携式设备。 负载开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI1304BDL-VB
- 商品编号
- C710060
- 商品封装
- SC-70-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V；40mΩ@4.5V；48mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备
- 负载开关
- 电池开关
- 电机、继电器和螺线管的负载开关