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IRF7471TR-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:10.4A
- 描述
- 特性：符合IEC 61249-2-21定义的无卤产品。 沟槽功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 100%进行I²C测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：同步整流。 POL，IBC
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7471TR-VB
- 商品编号
- C709993
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V；16mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽型功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 负载点电源(POL)、中间总线转换器(IBC)
- 次级侧
- N沟道MOSFET