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SQ4425EY-T1_GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
- 描述
- 特性：TrenchFET Power MOSFET。 AEC-Q101 合格。 100% Rg 和 UIS 测试。 材料分类：有关合规性定义请参阅相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ4425EY-T1_GE3
- 商品编号
- C6495636
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 525pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 527pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准且无卤
- P沟道MOSFET
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