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SQ4425EY-T1_GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SQ4425EY-T1_GE3商品编号
C6495636商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.24212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@4.5V,10A | |
| 功率(Pd) | 6.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 50nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.63nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 525pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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