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SQD30N05-20L_GE3
1个N沟道 耐压:55V 电流:30A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 AEC-Q101合格。 材料分类：有关合规性定义，请参考相关文档
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD30N05-20L_GE3
- 商品编号
- C6495651
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.532克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 203pF |
商品特性
- 沟道型功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
- N沟道MOSFET
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源
- 直流驱动器
- 同步整流器
- 直流转换器
- 电源
- 直流驱动器
- 同步整流器