SQD10N30-330H_4GE3
1个N沟道 耐压:300V 电流:10A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD10N30-330H_4GE3
- 商品编号
- C6495649
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.19nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 卓越的热阻性能
- 工作温度可达175°C
- 具备雪崩额定值
- 具备dv/dt额定值