SQA411CEJW-T1_GE3
1个P沟道 耐压:60V 电流:6.46A
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- 描述
- 特性:- TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 可焊侧翼端子。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQA411CEJW-T1_GE3
- 商品编号
- C6495641
- 商品封装
- PowerPAKSC-70W-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 13.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 采用低热阻、小尺寸的PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- 负载开关-适配器开关-笔记本电脑
