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2N60L-TN3-R
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 描述
- N沟道,600V,2A,5Ω@10V
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2N60L-TN3-R
- 商品编号
- C73301
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.504克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
UTC 2N60是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥式电路等高速开关应用场景。
商品特性
- 当VGS = 10V、ID = 1A时，RDS(ON) < 5Ω
- 具备快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高抗扰性