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1N60L-T92-K
1个N沟道 耐压:600V 电流:1.2A
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- 描述
- N沟道,600V,1.2A,11.5Ω@10V
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 1N60L-T92-K
- 商品编号
- C73299
- 商品封装
- TO-92
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.343克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5Ω@10V,600mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
UTC 1N60是一款高压MOSFET，具备更佳的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- RDS(ON) < 11.5 Ω@VGS = 10 V，ID = 0.6 A
- 超低栅极电荷（典型值5.0 nC）
- 低反向传输电容（CRSS = 典型值3.0 pF）
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高耐用性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC - DC转换器
- 桥接电路