商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | FET输入运放 | |
| 放大器数 | 双路 | |
| 增益带宽积(GBP) | 4MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 20pA | |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV | |
| 共模抑制比(CMRR) | - | |
| 压摆率(SR) | 16V/us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | - | |
| 每个通道供电电流 | 2.5mA | |
| 轨到轨 | - | |
| 输出类型 | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | - | |
| 输出电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
放大器类型：J-FET
电路数：2
压摆率：16 V/μs
增益带宽积：4MHz
电流 - 输入偏置：20pA
电压 - 输入失调：3mV
电流 - 电源：1.4mA
电流 - 输出/通道：40mA
电压 - 电源，单/双（±）：6 V ~ 36 V，±3 V ~ 18 V
工作温度：0°C ~ 70°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
电路数：2
压摆率：16 V/μs
增益带宽积：4MHz
电流 - 输入偏置：20pA
电压 - 输入失调：3mV
电流 - 电源：1.4mA
电流 - 输出/通道：40mA
电压 - 电源，单/双（±）：6 V ~ 36 V，±3 V ~ 18 V
工作温度：0°C ~ 70°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
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